一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示，要求场效应管工作于饱和区，,?已知管子参数为，设，设计合理的电阻RS和RD的值。（???） A. B. C. D. 一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示，要求场效应管工作于饱和区，,?已知管子参数为，设，设计合理的电阻RS和RD的值。（???） A. B. C. D. 正确答案：B
